基于开通延时变化的多芯片IGBT 模块部分芯片失效监测方法

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摘要：多芯片绝缘栅极双极型晶体管（insulated gate bipolar transistor，IGBT）模块被广泛应用于大功率变换器中，对其进行状态监测可以有效提高电力设备可靠性。文中提出了一种基于开通延时变化的多芯片IGBT 模块部分芯片故障检测方法，分析了芯片失效对开通过程的影响，指出了芯片失效与开通延时的关系，基于开通延时与失效芯片数的映射关系提出了对应的故障监测方法，并通过实验验证了方法的有效性。（剩余14157字）

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