国产功率芯片射频解冻模块设计与应用

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摘  要：为提高射频解冻领域相关产品的自主可控能力，基于国产自研横向扩散金属氧化物半导体（lateral diffused metal oxide semiconductors，LDMOS）功率芯片，提出一种由全国产晶体管放大电路构成的大功率射频解冻模块设计方案。该方案核心放大电路部分采用三级级联自研功率放大器，分别为前置级DS5089、驱动级DS6S0910P和末级DS300AN，并设计大功率射频解冻模块。（剩余10740字）

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