O含量对(FeCoCrNiAlRe)Ox高熵氧化物扩散障性能的影响

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摘      要： 用磁控溅射在单晶硅基底上沉积了（FeCoCrNiAlRe）Ox高熵氧化物陶瓷类薄膜，并探究不同O含量对在700 ℃退火温度下对Cu-Si互扩散的阻挡能力。采用SEM扫描电镜、EDS能谱仪、XRD衍射仪对薄膜进行表征。结果表明：（FeCoCrNiAlRe）Ox高熵氧化物薄膜质地较为致密，元素分布均匀，不同氧含量下制备的高熵氧化物薄膜均为非晶结构，且对Cu-Si的扩散有较好的阻扩散能力。（剩余9946字）

试读结束

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