硅对镉胁迫下玉米生长和抗氧化防御系统的影响

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摘要：为探究硅（Si）对镉（Cd）胁迫下玉米的缓解机制，本研究以玉米幼苗为试验材料，分析Cd污染已经存在后，外源施加Si对玉米的缓解作用。以水培法添加5 μmol/L Cd胁迫20 d后，外源施加1 mmol/L Si溶液，添加Si 处理 7 d 后，测定玉米的生物量、Cd浓度、Cd积累量和Cd转运速率（TF）、活性氧［包括过氧化氢（H2O2）和超氧阴离子（O-2·）］含量、总抗氧化能力和抗氧化酶［包括超氧化物歧化酶（SOD）、过氧化物酶（POD）和过氧化氢酶（CAT）］活性，以及非酶类抗氧化物质［包括抗坏血酸（AsA）和还原性谷胱甘肽（GSH）］含量。（剩余16528字）