注册帐号丨忘记密码？
1.点击网站首页右上角的“充值”按钮可以为您的帐号充值
2.可选择不同档位的充值金额，充值后按篇按本计费
3.充值成功后即可购买网站上的任意文章或杂志的电子版
4.购买后文章、杂志可在个人中心的订阅/零买找到
5.登陆后可阅读免费专区的精彩内容
打开文本图片集
摘 要：为满足射频电路对中高频段高电源抑制特性（PSR）和较低功耗的需求，本文提出了一种高电源抑制比、低功耗的LDO设计。通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入低输出阻抗的缓冲器和自适应动态零点补偿电路，有效保证系统稳定性，同时扩展了PSR带宽，实现了中高频段的高电源抑制特性。采用固定偏置和自适应偏置相结合的缓冲器以及静态电流更低的亚阈值CMOS基准，降低了整体功耗。（剩余11784字）
登录龙源期刊网
购买文章
一种高电源抑制比低功耗LDO设计
文章价格：6.00元
当前余额：100.00
阅读
您目前是文章会员，阅读数共：0篇
剩余阅读数：0篇
阅读有效期：0001/1/1 0:00:00
