4H-SiCCMP中基于ReaxFF-MD的氧化去除机理
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关键词 4H-SiC；反应力场；材料去除机理；分子动力学模拟；纳米划痕；化学机械抛光中图分类号 TG58; TG147 文献标志码 A文章编号 1006-852X（2025）06-0846-10DOI码 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0145收稿日期 2024-09-10 修回日期 2024-11-19
SiC以其优异的材料性能，广泛应用于5G通信、光伏、新能源汽车和集成电路等领域。（剩余19166字）
