GaN基高电子迁移率晶体管器件的可靠性及退化机制研究进展

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摘要：GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor，HEMT）器件在航天、通讯、雷达、电动汽车等领域具有广泛的应用，近年来成为电力电子器件的研究热点。在实际应用中，GaN基HEMT器件随着使用时间的延长会发生退化甚至失效的情况，器件的可靠性问题仍是进一步提高HEMT器件应用的绊脚石。（剩余19516字）

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