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专利申请号：2022113995563
公布号：CN115740452A
申请日：2022.11.09公开日：2023.03.07
申请人：有研亿金新材料（山东）有限公司；有研亿金新材料有限公司
本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域，公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于SN的W粉为原料，先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为800/～900/的预成型钨靶坯。（剩余168字）
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一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法
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