一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法
专利申请号:2022113995563
公布号:CN115740452A
申请日:2022.11.09公开日:2023.03.07
申请人:有研亿金新材料(山东)有限公司;有研亿金新材料有限公司
本发明属于磁控溅射靶材制造技术领域,公开了一种高纯高致密细晶低氧钨靶材的制备方法。以纯度大于SN的W粉为原料,先通过真空热压烧结的方式获得相对密度为800/~900/的预成型钨靶坯。(剩余168字)
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