新思科技提升3nm移动、HPC和AI芯片设计

新思科技近日宣布，在双方的长期合作中，三星晶圆厂（以下简称“三星”）已经通过新思科技数字和定制设计工具和流程实现了多次成功的测试流片，从而更好地推动三星的3 nm全环绕栅极技术用于对功耗、性能和面积要求极高的應用中。此外，新思科技还获得了三星的“最先进工艺”认证。与三星SF5E工艺相比，采用三星晶圆厂SF3技术的共同客户将实现功耗降低约50 %，性能提高约30 %，面积缩小30 %左右。（剩余315字）

网站仅支持在线阅读（不支持PDF下载），如需保存文章，可以选择【打印】保存。