基于柔性掩膜板制备半导体场效应管

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摘要：为克服传统制备半导体场效应晶体管（FET ）过程中存在的材料损伤、对准精度受限、电极转移难度大和成本高昂等缺陷，提出了一种基于柔性掩膜技术的半导体 FET 制备方法。利用紫外光刻技术制作柔性掩膜板，直接捞取并加热蒸干固定掩膜板，采用离子束溅射法沉积金属，并通过将半导体 CdSe 纳米带转移到电极上，获得了N 沟道耗尽型 FET ，证实了器件的功能性和此方法的可行性。（剩余9929字）

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