烧结助剂对氮化硅陶瓷热导率影响的研究进展

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摘 要：随着大规模、超大规模集成电路的发展，以及集成电路在通讯、交通等领域的运用。对于基板材料的要求日益严苛，氮化硅陶瓷因为有着优异的力学性能、介电性能和导热性，是作为基板材料的重要候选材料之一。氮化硅陶瓷的理论热导率高达200-320 W/（m·K），但是实际上高热导率的氮化硅难以制成。随着科研者将精力投入到氮化硅上，近年来氮化硅陶瓷的实际热导率得到提高，但是与理论热导率还有着不少差距。（剩余15583字）

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