原子层沉积工艺对TOPCon太阳电池电性能的影响研究

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摘 要：针对采用原子层沉积（ALD）工艺制备的Al2O3薄膜对TOPCon太阳电池电性能的影响进行了研究。研究结果显示：1）空间型沉积方式下制备得到的Al2O3薄膜厚度为9 nm时与时间型沉积方式下制备得到的Al2O3薄膜厚度为5 nm时得到的TOPCon太阳电池隐开路电压相同；且当两种沉积方式得到的Al2O3薄膜钝化效果相当时，制备得到的TOPCon太阳电池的电性能也无明显差异。（剩余8970字）

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