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DOI： 10.19911/j.1003-0417.tyn20230331.02 文章编号：1003-0417（2023）08-29-10
摘 要：针对n型TOPCon太阳电池采用PECVD技术时存在的磷烷耗量偏高、多晶硅磷活性掺杂浓度偏低和多晶硅层场钝化效果偏差的问题，通过进行不同的原位掺杂非晶硅沉积工艺实验和磷沉积退火实验来寻找合适的解决方式。（剩余9792字）
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n型TOPCon太阳电池PECVD路线磷活性掺杂技术的改善研究
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