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中图分类号：TN60
文献标志码：A
0引言
相较于传统的冯诺依曼结构，忆阻器拥有运行速度快、体积小、结构简单、低功耗和存储密度高等优点.忆阻器根据其不同的工作原理可以分为阻变随机存储器（RRAM）、相变存储器（PCM）、磁随机存储器（MRAM）和铁电存储器（FRAM）4类.其中，RRAM由于其制作（剩余12049字）
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氧化铋忆阻器及其性能提升研究
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