腐败希瓦氏菌4H铬还原机制的探究

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摘要：本文为探究腐败希瓦氏菌4H还原Cr（VI）的机制，采用扫描电镜（SEM）、傅里叶红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）、电化学测试等方法进行表征。结果表明腐败希瓦氏菌4H还原Cr（VI）的机制主要与微生物的代谢和电子传递能力有关。通过XPS分析发现细菌在对Cr（VI）的还原过程中，菌体表面有Cr（VI）和Cr（III）两种形态存在，进一步证明该菌通过还原方法去除六价铬；扫描电镜结果显示，在六价铬胁迫下细菌表面无明显破损，菌体形态由短杆型变成了长杆型，说明该菌对Cr（VI）具有很强的耐受性；傅里叶红外光谱结果显示随着初始Cr（VI）浓度的增加，羟基、羧基、酰胺和磷酸基团所代表的特征峰强度也有明显的增强；细菌电子传递性能测试以及电化学测试结果显示该菌具有很强的电子传递能力。（剩余11643字）