基于硅光电倍增管的Cs2 LiYCl6( CLYC) 探测器快中子辐照效应研究

打开文本图片集

摘 要：实验通过将硅光电倍增管（ silicon photomultiplier，SiPM） 器件和Cs2 LiYCl6（ CLYC） 闪烁体探测器暴露于14MeV 的快中子场中，最高累积注量达到1. 53×1011 cm-2 ，分析了中子辐照对SiPM 器件参数和CLYC 探测器性能的影响。重点研究了不同注量辐照前后，SiPM 的增益、暗计数率、暗电流、击穿电压和淬灭电阻等参数， 以及CLYC 探测器探测性能的变化情况和原因，其中暗计数率最高上升了3 个数量级，暗电流最高上升了2 个数量级，CLYC 探测器的能量分辨率去除本底后下降了1. 4%。（剩余232字）