硼化钨材料中子屏蔽性能及次级γ 剂量产生的模拟研究

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摘 要：对辐射防护材料硼化钨的中子吸收和次级γ 射线屏蔽性能进行分析。采用Geant4 程序，对材料厚度0～2 cm、能量为热中子～20 MeV 的入射中子进行模拟分析。研究结果表明：（ 1） 硼化钨材料主要作用于热中子～10-2 MeV 中子的吸收屏蔽。由不同材料对应的中子宏观分出截面和材料密度可知，厚度一定时，W2 B5 的中子吸收性能最优，质量一定时，WB4 中子吸收性能最优。（剩余272字）

试读结束

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