数智新型浮地惠普忆阻模拟器的设计与实现

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中图分类号:G642.0 文献标识码:A DOI:10.19655/j.cnki.1005-4642.2025.09.006

忆阻器又称记忆电阻,由美国华裔科学家蔡少棠教授于1971年首次提出1.当时,他从电流、电压、电荷和磁通这4个基本电路量出发,基于电路理论的完备性,推断在电阻、电容和电感之外,(剩余6152字)

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