Ga2O3/p-GaN异质结自供电日盲紫外光探测器的制备与光电性能研究

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摘      要：采用水热法在p-GaN衬底上生长Ga2O3纳米棒阵列，构建了Ga2O3/p-GaN异质结自供电日盲紫外光探测器。首先对异质结的形貌和结构性能进行了研究，并进一步对异质结紫外光探测器的伏安特性和紫外光探测性能进行了探索。结果表明在0 V偏压和254 nm紫外光照下，器件表现出明显的自供电日盲紫外光响应，响应度为718.8 mA/W，并具有良好的稳定性和重复性。（剩余6068字）

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