Sm掺杂对ZnO结构及发光性质的影响

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中图分类号：0482.3文献标志码：A

Ⅱ-V族半导体材料由于其独特的物理性质逐渐引起广泛关注。其中， ZnO 是一种非常好的直接带隙半导体材料，在常温下其禁带宽度约为3.37eV，自由激子束缚能高达 60MeV 。由于生长条件不同， ZnO 存在三种可能的晶体结构：纤锌矿型、闪锌矿型和岩盐结构，其中，常温常压下最稳定的是六方相纤锌矿结构[1]。（剩余8976字）

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