选择发射极对TOPCon太阳电池性能的影响研究

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中图分类号：TM914.4 文献标志码：A

0 引言

2014年德国Fraunhofer实验室首次报道了太阳电池的TOPCon新结构[1]，该结构大大改善了背表面钝化效果，使得赝开路电压 （iVoc） 超过 710mV ，赝填充因子（iFF）超过 84% ，立刻引起研究热潮[24]。2016年，陶玉国等[5]在大尺寸直拉单晶（czochralski，CZ）硅片（ 239cm2 上制备了隧穿氧化层钝化接触（tunnel oxidepassivating contact， TOPCon ）电池，其 Voc 为678.1mV ，效率为 21.2% 。（剩余11643字）