基于GaN HEMT的L波段600W内匹配功率管设计

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信


打开文本图片集

摘  要：采用两只总栅宽100 mm的0.5 μm工艺GaN HEMT功率管芯，通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络，实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管。在+36 V、-2 V工作电压下，1.14～1.26 GHz内，功率管输出功率≥600 W，功率增益≥12 dB，功率附加效率≥55%，体积仅为33 mm×17 mm×2 mm，重量仅为3.5 g，显示出卓越的性能，具有广泛的工程应用前景。（剩余5119字）

试读结束

目录
monitor