皮秒激光烧蚀碳化硅的改性机理研究
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摘 要：碳化硅材料因其优良的综合性能而广泛应用于高温、高频、高功率的电子器件领域。然而，碳化硅的高硬度和化学惰性给目前的抛光技术带来诸多挑战。使用不同激光注量、扫描速度的激光对碳化硅晶片进行扫描，SEM结果显示随着能量注量的增加，材料的表面形貌历经了纳米颗粒形成到颗粒变得无序再到颗粒融化的状态。EDS和纳米压痕分析结果表明：氧气参与了激光对碳化硅的光致化学反应，辐照表面的弹性模量从347 GPa降低至103.82 GPa，剪切强度由20.90 GPa降低至17.25 GPa。（剩余7764字）