基于界面修饰层制备高性能量子点发光二极管的研究进展

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1引言

量子点（QDs）是半导体纳米晶体的重要分支，颗粒大小通常在 2～20nm 之间，具有限域效应和表面效应等性质[1-2]。QDs有许多优良特性，如吸收光谱宽、峰位可随QDs大小而变、发射线宽窄、接近 100% 的光致发光量子产率（PLQY）以及全溶液制备工艺等[3-6]。作为无机晶体的发射中心，QDs有望成为克服聚合物发光二极管（PLEDs）和小分子有机发光二极管（OLEDs）中存在问题的候选材料。（剩余45952字）

试读结束

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