二维h-BN纳米片作为电子阻挡层提升量子点发光二极管性能

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中图分类号:TN312.8 文献标识码:ADOI:10.37188/CJL.20250220 CSTR:32170.14.CJL.20250220

1引言

随着信息技术的迅猛发展,发光与显示器件的需求持续增长]。胶体半导体量子点(QDs)因其发射波长可调、色纯度高、量子产率高、稳定性优异且加工成本低廉等独特优势,已成为领域研究焦点2。(剩余15847字)

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