0.1 GHz～18 GHz单电源宽带低噪声放大器
现代信息科技 杨楠 杨琦 刘鹏
摘 要：基于GaAs增强型pHEMT工艺，设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz～18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路，通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。在片测试结果表明，放大器在+5 V工作电压下，工作电流60 mA，在0.1 GHz～18 GHz工作频段范围内实现小信号增益18 dB，输出P1 dB（1 dB压缩点输出功率）典型值12 dBm，噪声系数典型值2.5 dB。（剩余5436字）