注册帐号丨忘记密码？
1.点击网站首页右上角的“充值”按钮可以为您的帐号充值
2.可选择不同档位的充值金额，充值后按篇按本计费
3.充值成功后即可购买网站上的任意文章或杂志的电子版
4.购买后文章、杂志可在个人中心的订阅/零买找到
5.登陆后可阅读免费专区的精彩内容
打开文本图片集
摘要：文章设计了一款基于氮化镓HEMT工艺的单片射频单刀双掷开关芯片（SPDT switch）。采用宽带匹配结构，实现了超宽带开关特性，覆盖频率DC-18 GHz，并且在工作带宽内优化了开关耐功率能力。装配后的S参数测试结果显示，在DC-18 GHz内插入损耗最大值在18 GHz频点处，为1.5 dB。（剩余5808字）
登录龙源期刊网
购买文章
宽带单刀双掷氮化镓功率开关芯片
文章价格：4.00元
当前余额：100.00
阅读
您目前是文章会员，阅读数共：0篇
剩余阅读数：0篇
阅读有效期：0001-1-1 0:00:00