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用于宽波段红外探测的InAs/GaSbⅡ型超晶格结构光学性质研究


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摘 要:InAs/GaSbⅡ型超晶格因其特殊的能带结构及成熟的材料生长技术, 被视为第三代红外探测器的优质材料。 本文介绍了长、 短波红外探测用的InAs/GaSbⅡ型超晶格探测器结构的光学性质, 对比超晶格和衬底的拉曼光谱, 指认了结构中存在的主要拉曼振动模式, 分波段光致发光谱揭示了器件存在近红外和远红外双波段特性。(剩余11090字)

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